トランジスタに関する質問です。


トランジスタのソース、ドレイン領域の不純物濃度は、
同じでないと、どのような影響がありますか?
濃度は、一緒でないと良くないのでしょうか?

宜しくお願いします。

回答の条件
  • 1人5回まで
  • 13歳以上
  • 登録:2013/08/29 20:50:18
  • 終了:2013/08/31 11:57:00

ベストアンサー

id:karuishi No.2

ニャンざぶろう回答回数764ベストアンサー獲得回数1282013/08/29 23:37:03

ポイント50pt

現在のMOSFETの特性を決めるような影響は
ほとんどゲート電極と基板準位との間(チャネル領域)で生じます。

ソース、ドレイン領域の不純物濃度自体の影響は少ないです
だいたいは非常に濃度を濃くしてMOSFETの電極としての役割を持たせています。
(同じ不純物打ち込み工程で作られるのが普通なので濃度は一緒になってしまう)

しきい値Vthは最近の短ゲート長MOSではそれ専用の不純物イオン打ち込みで
ゲート下のバルク順位やゲートの準位を変えて調整しています。

その他の回答(1件)

id:dawakaki No.1

だわかき回答回数797ベストアンサー獲得回数1222013/08/29 22:42:05

ポイント50pt

トランジスタの特性が変わってしまいます。

たとえばMOSトランジスタのしきい値Vthは、一般にゲート下のチャネル領域のドーピングで調整できます。

id:karuishi No.2

ニャンざぶろう回答回数764ベストアンサー獲得回数1282013/08/29 23:37:03ここでベストアンサー

ポイント50pt

現在のMOSFETの特性を決めるような影響は
ほとんどゲート電極と基板準位との間(チャネル領域)で生じます。

ソース、ドレイン領域の不純物濃度自体の影響は少ないです
だいたいは非常に濃度を濃くしてMOSFETの電極としての役割を持たせています。
(同じ不純物打ち込み工程で作られるのが普通なので濃度は一緒になってしまう)

しきい値Vthは最近の短ゲート長MOSではそれ専用の不純物イオン打ち込みで
ゲート下のバルク順位やゲートの準位を変えて調整しています。

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