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Intelが2007年の45nmプロセスでリーク電流削減技術としてゲート絶縁膜に高誘電率材料を使うと報道されていましたが,どのような高誘電率材料を用いるのでしょうか?

●質問者: tani630
●カテゴリ:コンピュータ 趣味・スポーツ
✍キーワード:2007年 Intel プロセス 報道 技術
○ 状態 :終了
└ 回答数 : 3/3件

▽最新の回答へ

1 ● cyobi_momo
●5ポイント

http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20031105tech.htm

新金属材を開発したそうです。

↓に貼り付けると翻訳できます。

http://www.excite.co.jp/world/url/

英語翻訳 ウェブページ翻訳 - エキサイト 翻訳

◎質問者からの返答

新金属材はゲート用の金属の事だと思います.

今までのトランジスタではSiC2膜にポリシリコンゲートを使っていたんですが,それをHigh-kの誘電体材料と金属ゲートを使用するという事なので.


2 ● takio-h
●15ポイント

http://japan.cnet.com/news/ent/story/0,2000047623,20061796,00.ht...

インテル、電流の漏れを100分の1以下にする新技術を開発:ニュース - CNET Japan

これでズバリでしょう。

◎質問者からの返答

残念.

ここに書かれているのは”高誘電率ゲート絶縁材料という新素材を採用”とだけしか書かれていません.

そこまでは最初から分っています.

私が知りたいのはその”高誘電率ゲート絶縁材料という新素材”がどのような材料構成(物質構成?)という部分です.

”ゲート絶縁膜国際ワークショップ2003”で多分,何らかしらの事を話しているんだとは思うんですが…


3 ● Ito
●40ポイント

ftp://download.intel.com/research/silicon/Chau%20high-k%20me...

IWGI 2003での

プレゼンPDFファイル

ftp://download.intel.com/research/silicon/Chau%20high-k%20me...

テクニカルノート

◎質問者からの返答

おしい.

これは私も質問を出した後で見つけていました.

ただ,これにもHigh-Kとは書かれていても,それが何かについてふれられていないみたいです.

やっぱりIntelもそこについては社外秘にしてるんですかね?

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