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化合物半導体の結晶成長に明るい方にお伺いします。MOCVDとMOVPEはどこがどう違うのでしょうか?またPIMBEとGSMBEの違いはどこにあるのでしょうか?教えてください。

●質問者: Xenos
●カテゴリ:科学・統計資料
✍キーワード:化合物 半導体 結晶
○ 状態 :終了
└ 回答数 : 1/1件

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1 ● aki73ix
●80ポイント

http://130.153.142.88/research/mocvd.htm

MOCVD法によるHBTの作製

MOVPE(Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)は、有機金属気相成長法の略で基盤と同じ方位を持った結晶の成長方法です

MOCVDはMetalorganic Chemical Vapor Deposition(有機金属気体堆積法・蒸着法)の略で意味的にもMOVPEと一緒で区別はありません

http://bukko.bk.tsukuba.ac.jp/~optoelec/poster/MBE/MBE.html

一方、GSMBEは(ガスソース分子線成長法)で、PIMBE(Plasma Induced Molecular Beam Epitaxy)はプラズマ照射分子線成長法ですPSMBEともいいます、こちらのサイトに比較がありますが、窒素化学種を用いるのではなく窒素を含むプラズマを用いた分子線成長法です

http://www.etl.go.jp/jp/results/bulletin/

Bulletin

詳しくは このページの 62年度の

MBE成長GaNエピ膜の表面再配列構造とAsサーファクタント効果 と

分子線エピタキシー法によるIII族窒化物のエピタキシャル成長

をご覧下さい

◎質問者からの返答

素早く的確なご回答ありがとうございます。

また次の機会があればよろしくお願いします。

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