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量子化学に関する質問です。
「シリコンの伝導体の電子密度と荷電したいの正孔密度の積は、室温において2 * 10^(20) cm^(-6)であることがわかっている。リンが10^(15) cm^(-3)だけドーピングされているとき、室温での荷電したの正高密度を計算しなさい」という問題なのですが、リンはドナーなので伝導帯に電子を放出するだけで、価電子帯の正孔には影響を与えないと思うのですが、違うのでしょうか?

そうだとしたら、
sqrt(2 * 10^(20) cm^(-6)) = 1.4 * 10^(10) cm^(-3)
という答えでいいのでしょうか。

●質問者: sensepicker
●カテゴリ:学習・教育 科学・統計資料
✍キーワード:Cm シリコン ドナー ドーピング 放出
○ 状態 :キャンセル
└ 回答数 : 0/1件

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