高分子の物理学(ﾄﾞ･ｼﾞｬﾝ 著 久保亮五 監修 高野宏･中西秀 共訳)をお持ちの方に､書籍内の記述について質問をさせて下さい｡
http://www.yoshiokasyoten.sakura.ne.jp/phys/ISBN4-8427-0318-0.html
"?.2.3.基底状態が支配的な場合の自己無頓着場近似"の項に､自由ｴﾈﾙｷﾞｰをTで割った式として以下が紹介されています｡
I=∫｛a^2/6|▽ψ|^2＋1/2v|ψ|^4｝dr = F/T
ここでψは､粒子の存在確率になり､
本文内で上記中式の1項目 ∫｛a^2/6|▽ψ|^2｝dr を"ｴﾝﾄﾛﾋﾟｰ項"と呼んでいます｡
|▽ψ|^2は､分布の広がりが広がれば下がり､分布の広がりが狭まれば上がるため､定性的にはｴﾝﾄﾛﾋﾟｰと相関があると理解できました｡
しかし､なぜ､∫｛|▽ψ|^2｝drが完全にｴﾝﾄﾛﾋﾟｰに比例すると言えるのか､理解が出来ませんでした｡特にｴﾝﾄﾛﾋﾟｰに関するｼｬﾉﾝの書式S=-p(x,t)log p(x,t)とかなり異なっており､混乱しております｡
私が∫｛a^2/6|▽ψ|^2｝dr を"ｴﾝﾄﾛﾋﾟｰ項"と理解できるためのﾋﾝﾄを頂けないでしょうか｡理解に必要な書籍等をご紹介頂けると､助かります｡どうか､ご協力をお願い致します｡
