ＭＲＡＭの日本における量産体制の準備情況を調べております。

『産総研とキヤノンアネルバ株式会社が開発したMgOをバリヤとする巨大トンネル磁気抵抗素子』技術の、年内の日本の各企業における量産化の決定が有り、との報告がありました。日本の各企業のＭＲＡＭにおける量産体制の準備情況を調べております。


MRAM:Magnetoresistive Random Access Memory

Magnetoresistive Random Access Memoryとは磁気を利用した記憶素子で、Magnestic Ramdom Access Memory、MRAMとも呼ばれる。N-Sという磁力極性を利用した記憶媒体（磁気ディスク装置や磁気テープ装置など）ではなく、電子のスピンをメモリ素子として利用するスピントロニクスを採用している。

産総研とキヤノンアネルバ株式会社が開発したMgOをバリヤとする巨大トンネル磁気抵抗素子がマイクロ波の整流検波作用を持つことを発見した。これまでの研究で、同素子ではスピン注入磁化反転が実現し、直接通電によって磁気書き込みのできる記録素子として磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)への応用が期待されている。