出来ないとしても今後技術的に可能ということはないのですかね？
シリコン基板ではバンド構造上、キャリア移動度による負性抵抗の特性ができないので発振が起こりません。
下記Webページに詳しいです。
http://ngch1939.hp.infoseek.co.jp/ture104.htm
ガンダイオード（Ｇｕｎｎ ｄｉｏｄｅ）の項の
図４－２９ 電流ー電圧特性
の負性抵抗の図で、SiとGaAsの比較です。
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