線幅の定義がいろいろあるようですが、全部カバーしている資料としては、以下の PDF ファイルの
62 ページFigure 7 などいかがでしょうか。07 年 12 月に公表された資料 (ITRS2007) です。
あるいは、64 ページの Table 1a 。いずれも、Product となっています。
http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/ExecSum2007.pdf
2007 年時点で、DRAM が 1/2 Pitch 65 nm, Flash が 1/2 Pitch 54 nm。
5 ページ Figure 1 に、”Pitch” の定義が示されています。
6 ページ Figure 2 に、”Production" の定義があります。
研究フェーズのものは、このグラフから言えば、2 年先行とみる、ということでしょうか。
プロダクションの 2009 年時点を見ると、DRAM が 1/2 Pitch 50 nm, Flash が 1/2 Pitch 40 nm と
いうロードマップになっています。
この資料の解説記事:
http://www.ednjapan.com/content/l_news/2007/u3eqp3000001he55.htm...
> なお、45nmハーフピッチのプロセス技術とは、DRAM配線層におけるメタルピッチの半分が45nmである
> チップを製造できるという意味である。一般的な半導体ベンダーなどが45nmのプロセス技術と呼ぶものよ
> り1世代ほど微細な加工が行える。
この点、他の資料との読みあわせでは混乱を招きやすい点です。
詳細情報は ITRS 2007 にいろいろと書いてあります。
どこが開発していて、何のCPUだったかは忘れてしまいましたが、18umというものがあります(雑誌記事)。私の知る限り、これが世界最小だと思います。量産品ではIntelのCore 2 Duoが45umです。
半導体プロセスの大手のTSMCのページが参考になると思います。
Advanced Logic Technology
http://journal.mycom.co.jp/articles/2004/09/16/idf1/001.html
ここで45nm processというのがあります。ここらが最先端のエリアになります。
Mainstream Technology
http://www.tsmc.com/japanese/b_technology/b01_platform/b01021_ro...
http://www.tsmc.com/japanese/b_technology/b01_platform/b01021_ap...
ここで0.15umから0.5umあたりがメインストリームになります。
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