「シリコンの伝導体の電子密度と荷電したいの正孔密度の積は、室温において2 * 10^(20) cm^(-6)であることがわかっている。リンが10^(15) cm^(-3)だけドーピングされているとき、室温での荷電したの正高密度を計算しなさい」という問題なのですが、リンはドナーなので伝導帯に電子を放出するだけで、価電子帯の正孔には影響を与えないと思うのですが、違うのでしょうか?
そうだとしたら、
sqrt(2 * 10^(20) cm^(-6)) = 1.4 * 10^(10) cm^(-3)
という答えでいいのでしょうか。
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